Novi dizajn čipa produžiće trajanje baterije na telefonima na 7 dana?

IBM i Samsung su najavili svoj najnoviji napredak u dizajniranju poluprovodnika koji se sastoji u novom načinu vertikalnog slaganja tranzistora na čip, umesto da leže ravno na površini poluprovodnika. Iz ovih kompanija kažu da bi njihov novi dizajn čipa mogao da produži trajanje baterije na telefonima i do nedelju dana, piše The Verge.

Novi dizajn tranzistora sa efektom vertikalnog transportnog polja (VTFET) treba da nasledi trenutnu FinFET tehnologiju koja se koristi za neke od današnjih najnaprednijih čipova i mogla bi da omogući proizvodnju čipova koji su još gušće napunjeni tranzistorima nego danas. 

Ovaj dizajn bi slagao tranzistore vertikalno, omogućavajući struji da teče gore-dole kroz stek tranzistora umesto horizontalnog rasporeda sa strane na stranu koji se trenutno koristi na većini čipova.

Vertikalni dizajnovi za poluprovodnike su bili trend već neko vreme, Intelova buduća mapa puta takođe izgleda da se kreće u tom pravcu, iako je njegov početni rad bio fokusiran na slaganje komponenti čipa, a ne na pojedinačne tranzistore. Na kraju krajeva, ima smisla: kada vam ponestane načina da dodate još čipova u jednu ravan, jedini pravi pravac (osim tehnologije fizičkog smanjenja tranzistora) je da idete gore.

Iako smo još uvek daleko od VTFET dizajna koji se koristi u stvarnim potrošačkim čipovima, ove dve kompanije iznose neke velike tvrdnje, napominjući da bi ovi čipovi mogli da ponude „dvostruko poboljšanje performansi ili smanjenje upotrebe energije za 85 odsto“ u poređenju sa FinFET dizajnom. 

IBM i Samsung takođe navode neke ambiciozne moguće slučajeve upotrebe nove tehnologije, pokrećući ideju o „baterijama mobilnih telefona koje bi mogle da traju više od nedelju dana bez punjenja, umesto nekoliko dana“, manje energetski intenzivno rudarenje kriptovaluta ili šifrovanje podataka, kao i još moćnije uređaje pametne uređaje ili čak svemirske letelice.

IBM je ranije ove godine pokazao svoj prvi čip veličine dva nanometra, koji ide drugačijim putem ka guranju što više tranzistora, tako povećavajući količinu koja se može uklopiti u čip koristeći postojeći FinFET dizajn. Međutim, VTFET bi imao za cilj da ode korak dalje, iako će verovatno proći dosta vremena pre nego što vidimo čipove zasnovane na najnovijoj tehnologiji IBM-a i Samsunga u svetu.